Cooling effects of field emission from semiconductors at high temperatures

Moon S. Chung, Alexander Mayer, Brock L. Weiss, Nicholas M. Miskovsky, Paul H. Cutler

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Résumé

We have investigated the cooling effect of field emission from semiconductors at temperatures up to 900K. It is found that at high temperatures, field emission cooling is meaningful for cathodes of material with low resistivity such as PbTe. For n-type semiconductors with low resistivity, the Nottingham energy exchange in field emission can be comparable to or greater than the Peltier coefficient.

langue originaleAnglais
titreProceedings - IVNC 2011
Sous-titre2011 24th International Vacuum Nanoelectronics Conference
Pages5-6
Nombre de pages2
Etat de la publicationPublié - 22 sept. 2011
Evénement2011 24th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2011 - Wuppertal, Allemagne
Durée: 18 juil. 201122 juil. 2011

Série de publications

NomProceedings - IVNC 2011: 2011 24th International Vacuum Nanoelectronics Conference

Une conférence

Une conférence2011 24th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2011
PaysAllemagne
La villeWuppertal
période18/07/1122/07/11

    Empreinte digitale

Contient cette citation

Chung, M. S., Mayer, A., Weiss, B. L., Miskovsky, N. M., & Cutler, P. H. (2011). Cooling effects of field emission from semiconductors at high temperatures. Dans Proceedings - IVNC 2011: 2011 24th International Vacuum Nanoelectronics Conference (p. 5-6). [6004534] (Proceedings - IVNC 2011: 2011 24th International Vacuum Nanoelectronics Conference).