Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: The SASEM device

C. Krzeminski, E. Dubois, X. Tang, N. Reckinger, A. Crahay, V. Bayot

Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

Résumé

Process simulation arc performed in order to simulate the full fabrication process of an alternative nano-flash memory in order to optimise it and to improve the understanding of the dot storage formation. The influence of various parameters (oxidation temperature, nanowire shape) have been investigated.
langue originaleAnglais
Pages (de - à)45-50
Nombre de pages6
journalMaterials Research Society Symposium Proceedings
Volume830
Etat de la publicationPublié - 1 janv. 2005

Empreinte digitale Examiner les sujets de recherche de « Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: The SASEM device ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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