Issues associated to rare earth silicide integration in ultra thin FD SOI Schottky barrier nMOSFETs

G. Larrieu, D.A. Yarekha, Emmanuel Dubois, N. Breil, Nicolas Reckinger, Xiaohui Tang, A. Halimaoui

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

langue originaleAnglais
Etat de la publicationPublié - 2009
Evénement215th Electrochemical Society Meeting - San Francisco, États-Unis
Durée: 24 mai 200929 mai 2009

Comité scientifique

Comité scientifique215th Electrochemical Society Meeting
PaysÉtats-Unis
La villeSan Francisco
période24/05/0929/05/09

Contient cette citation

Larrieu, G., Yarekha, D. A., Dubois, E., Breil, N., Reckinger, N., Tang, X., & Halimaoui, A. (2009). Issues associated to rare earth silicide integration in ultra thin FD SOI Schottky barrier nMOSFETs. Résumé de 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, États-Unis.