Profilage d'un isotope du silicium par la réaction 29Si(p,γ)30P

  • Laurent Standaert

Thèse de l'étudiant: Master typesMaster en sciences physiques

Résumé

Ce mémoire concerne le profilage du 29Si. Des implantations à 33 keV de 29Si ont été réalisées dans des substrats de tantale, d'or et d'oxyde de silicium. Deux méthodes ont été comparées: RBS et RNRA. Les mesures sur les substrats d'or ont montré une forte diffusion du silicium. Le tantale est un meilleur élément pour l'élaboration d'un échantillon de référence. Le comportement durant un recuit du silicium implanté dans des couches d'oxyde de silicium a été investigué mais aucune diffusion n'est observée. La comparaison des résultats RBS et RNRA montre l'intérêt de la résonance à 413,9 keV de la réaction 29Si(p,γ)30P
Date de réussite2011
langueFrançais
SuperviseurGuy Terwagne (Promoteur), Julien Colaux (Jury), Olivier Deparis (Jury) & Laurent Houssiau (Jury)

Citer ceci

Profilage d'un isotope du silicium par la réaction <sup>29</sup>Si(p,γ)<sup>30</sup>P
Standaert, L. (Auteur). 2011

Thèse de l'étudiant: Master typesMaster en sciences physiques