TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs

J. Ratajczak, A. ŁAszcz, A. Czerwinski, J. Katcki, X. Tang, N. Reckinger, D.A. Yarekha, G. Larrieu, E. Dubois

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Résumé

The transmission electron microscopy characterization of various silicon and silicide fin structures intended for application in FinFET devices has been performed. The results showed that transmission electron microscopy is a very useful tool for optimization of manufacturing processes of fin nanostructures in FinFETs.
langue originaleAnglais
titreActa Phys. Pol. A
Volume116
Etat de la publicationPublié - 1 janv. 2009

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Contient cette citation

Ratajczak, J., ŁAszcz, A., Czerwinski, A., Katcki, J., Tang, X., Reckinger, N., Yarekha, D. A., Larrieu, G., & Dubois, E. (2009). TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs. Dans Acta Phys. Pol. A (Vol 116)