langue originale | Anglais |
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Pages (de - à) | 1115-1118 |
Nombre de pages | 4 |
journal | Semiconductor Science and Technology |
Volume | 15 |
Etat de la publication | Publié - 2000 |
Influence of Substrate Temperature on Formation of SiC Buffer Layer by Reaction of Si(100) with Silane-Methane Plasma
Carla Bittencourt Papaleo Montes
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