Selective growth of CdTe by molecular beam epitaxy on CdTe(211)B microseeds and Si(100) nanoseeds patterned on SiO2

  • Thomas Seldrum

    Thèse de l'étudiant: Doc types › Docteur en Sciences

    Résumé

    Cette thèse de doctorat étudie la possibilité de faire croître par épitaxie par jets moléculaires du CdTe sélectivement sur des îlots de CdTe(211)B ou de Si(100) qui ont été lithographiés sur un substrat de SiO2. La création des micro- et nanostructures servant de semence d’amorçage à la croissance sélective du CdTe a été réalisée par lithographie optique et interférométrique. La sélectivité est expliquée par une variation de l’énergie de physisorption des atomes de cadmium et de tellure en fonction de la nature du substrat (CdTe, Si ou SiO2).
    la date de réponse21 sept. 2009
    langue originaleAnglais
    L'institution diplômante
    • Universite de Namur
    SuperviseurROBERT SPORKEN (Promoteur), Paul THIRY (Président), Jacques Dumont (Jury), Romain Delamare (Jury) & Fikri Aquariden (Jury)

    Contient cette citation

    Selective growth of CdTe by molecular beam epitaxy on CdTe(211)B microseeds and Si(100) nanoseeds patterned on SiO2
    Seldrum, T. (Auteur). 21 sept. 2009

    Thèse de l'étudiant: Doc types › Docteur en Sciences

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