Ce mémoire concerne le profilage du
29Si. Des implantations à 33 keV de
29Si ont été réalisées dans des substrats de tantale, d'or et d'oxyde de silicium. Deux méthodes ont été comparées: RBS et RNRA. Les mesures sur les substrats d'or ont montré une forte diffusion du silicium. Le tantale est un meilleur élément pour l'élaboration d'un échantillon de référence. Le comportement durant un recuit du silicium implanté dans des couches d'oxyde de silicium a été investigué mais aucune diffusion n'est observée. La comparaison des résultats RBS et RNRA montre l'intérêt de la résonance à 413,9 keV de la réaction
29Si(p,γ)
30P
Profilage d'un isotope du silicium par la réaction
29Si(p,γ)
30P
Standaert, L. (Auteur). 2011
Student thesis: Master types › Master en sciences physiques