Les cellules photovoltaïques à multijonctions et à boîtes quantiques font partie des technologies les plus prometteuses en termes de rendement. Parvenir à former un gradient de nanocristaux semi-conducteurs de taille appropriée au sein d’une matrice cristalline peu coûteuse, telle que le silicium, semble une configuration idéale pour optimiser l’efficacité d’absorption des photons et la collection des porteurs de charges photo-induits. Pour ce faire, des échantillons de silicium cristallin (c-Si) sont chauffés à 600°C tout en étant implantés en ions de 74Ge+ d’énergie 350 keV. Cette température est en principe suffisante pour induire la réparation du réseau de silicium amorphisé par le passage des ions énergétiques. Le Si et le Ge sont parfaitement miscibles et un alliage Si1-xGex est dès lors formé. Si la concentration en Ge est assez élevée, un faible déplacement des atomes de Ge grâce à un recuit à 800°C devrait suffire pour qu’ils s’agglomèrent en nanocristaux. Suite à l’implantation ionique, les échantillons sont caractérisés par des mesures RBS et RBS/C ( et ) pour étudier le profil en profondeur de germanium et la cristallinité de la couche formée. Un nouveau goniomètre à 6 axes a été développé pour étudier avec précision la direction de canalisation nécessaire pour le calcul de la contrainte tétragonale. L’étude d’un échantillon de silicium cristallin vierge a permis de vérifier la fiabilité et la reproductibilité du goniomètre.
| la date de réponse | 22 juin 2022 |
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| langue originale | Français |
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| L'institution diplômante | |
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| Superviseur | Guy Terwagne (Promoteur) |
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Développement d'un goniomètre à six axes pour l'étude par canalisation de la diffusion du germanium implanté à haute température dans du silicium cristallin
CLAUSSE, M. (Auteur). 22 juin 2022
Student thesis: Master types › Master en sciences physiques à finalité approfondie