Caractérisation de la diffusion de 74Ge+, co-implanté avec un excès de 28Si+ dans une couche de dioxyde de silicium sur un substrat de silicium

Thèse de l'étudiant: Master typesMaster en sciences physiques

Résumé

Date de réussitesept. 2014
langueFrançais
Institution diplomante
  • Universite de Namur
SuperviseurGuy Terwagne (Jury)

Contient cette citation

Caractérisation de la diffusion de <sup>74</sup>Ge<sup>+</sup>, co-implanté avec un excès de <sup>28</sup>Si<sup>+</sup> dans une couche de dioxyde de silicium sur un substrat de silicium
Nelis, A. (Auteur). sept. 2014

Thèse de l'étudiant: Master typesMaster en sciences physiques