Caractérisation de la diffusion de 74Ge+, co-implanté avec un excès de 28Si+ dans une couche de dioxyde de silicium sur un substrat de silicium

    Student thesis: Master typesMaster en sciences physiques

    la date de réponsesept. 2014
    langue originaleFrançais
    L'institution diplômante
    • Universite de Namur
    SuperviseurGuy Terwagne (Jury)

    Contient cette citation

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