Caractérisation de la diffusion de 74Ge+, co-implanté avec un excès de 28Si+ dans une couche de dioxyde de silicium sur un substrat de silicium

    Thèse de l'étudiant: Master typesMaster en sciences physiques

    Résumé

    la date de réponsesept. 2014
    langue originaleFrançais
    L'institution diplômante
    • Universite de Namur
    SuperviseurGuy Terwagne (Jury)

    Contient cette citation

    Caractérisation de la diffusion de 74Ge+, co-implanté avec un excès de 28Si+ dans une couche de dioxyde de silicium sur un substrat de silicium
    Nelis, A. (Auteur). sept. 2014

    Thèse de l'étudiant: Master typesMaster en sciences physiques