langue originale | Anglais |
---|---|
Pages (de - à) | 21-25 |
Nombre de pages | 5 |
journal | Applied Surface Science |
Volume | 235 |
Etat de la publication | Publié - 2004 |
X-ray photoelectron spectroscopy characterization of high-k dielectric Al2O3 and HfO2 layers deposited on SiO2/Si surface
Roumen Vitchev, Jean-Jacques Pireaux, Thierry Conard, H. Bender, J. Wolstenholme, Chr. Defranoux
Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revue › Article