UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET

D.A. Yarekha, G. Larrieu, N. Breil, E. Dubois, SYLVIE GODEY, X. Wallart, C. Soyer, D. Remiens, Nicolas Reckinger, Xiaohui Tang, A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Halimaoui

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

langue originaleAnglais
étatPublié - 2009
Evénement215th Electrochemical Society Meeting - San Francisco, États-Unis
Durée: 24 mai 200929 mai 2009

Comité scientifique

Comité scientifique215th Electrochemical Society Meeting
PaysÉtats-Unis
La villeSan Francisco
période24/05/0929/05/09

Citer ceci

Yarekha, D. A., Larrieu, G., Breil, N., Dubois, E., GODEY, SYLVIE., Wallart, X., ... Halimaoui, A. (2009). UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET. Résumé de 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, États-Unis.
Yarekha, D.A. ; Larrieu, G. ; Breil, N. ; Dubois, E. ; GODEY, SYLVIE ; Wallart, X. ; Soyer, C. ; Remiens, D. ; Reckinger, Nicolas ; Tang, Xiaohui ; Laszcz, A. ; Ratajczak, J. ; Halimaoui, A. / UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET. Résumé de 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, États-Unis.
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Yarekha, DA, Larrieu, G, Breil, N, Dubois, E, GODEY, SYLVIE, Wallart, X, Soyer, C, Remiens, D, Reckinger, N, Tang, X, Laszcz, A, Ratajczak, J & Halimaoui, A 2009, 'UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET', 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, États-Unis, 24/05/09 - 29/05/09.

UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET. / Yarekha, D.A.; Larrieu, G.; Breil, N.; Dubois, E.; GODEY, SYLVIE; Wallart, X.; Soyer, C.; Remiens, D.; Reckinger, Nicolas; Tang, Xiaohui; Laszcz, A.; Ratajczak, J.; Halimaoui, A.

2009. Résumé de 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, États-Unis.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

TY - CONF

T1 - UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET

AU - Yarekha, D.A.

AU - Larrieu, G.

AU - Breil, N.

AU - Dubois, E.

AU - GODEY, SYLVIE

AU - Wallart, X.

AU - Soyer, C.

AU - Remiens, D.

AU - Reckinger, Nicolas

AU - Tang, Xiaohui

AU - Laszcz, A.

AU - Ratajczak, J.

AU - Halimaoui, A.

PY - 2009

Y1 - 2009

M3 - Abstract

ER -

Yarekha DA, Larrieu G, Breil N, Dubois E, GODEY SYLVIE, Wallart X et al.. UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET. 2009. Résumé de 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, États-Unis.