UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET

D.A. Yarekha, G. Larrieu, N. Breil, E. Dubois, SYLVIE GODEY, X. Wallart, C. Soyer, D. Remiens, Nicolas Reckinger, Xiaohui Tang, A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Halimaoui

    Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)RésuméRevue par des pairs

    langue originaleAnglais
    Etat de la publicationPublié - 2009
    Evénement215th Electrochemical Society Meeting - San Francisco, États-Unis
    Durée: 24 mai 200929 mai 2009

    Comité scientifique

    Comité scientifique215th Electrochemical Society Meeting
    Pays/TerritoireÉtats-Unis
    La villeSan Francisco
    période24/05/0929/05/09

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