UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET

D.A. Yarekha, G. Larrieu, N. Breil, E. Dubois, SYLVIE GODEY, X. Wallart, C. Soyer, D. Remiens, Nicolas Reckinger, Xiaohui Tang, A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Halimaoui

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

langue originaleAnglais
Etat de la publicationPublié - 2009
Evénement215th Electrochemical Society Meeting - San Francisco, États-Unis
Durée: 24 mai 200929 mai 2009

Comité scientifique

Comité scientifique215th Electrochemical Society Meeting
PaysÉtats-Unis
La villeSan Francisco
période24/05/0929/05/09

Contient cette citation

Yarekha, D. A., Larrieu, G., Breil, N., Dubois, E., GODEY, SYLVIE., Wallart, X., Soyer, C., Remiens, D., Reckinger, N., Tang, X., Laszcz, A., Ratajczak, J., & Halimaoui, A. (2009). UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET. Résumé de 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, États-Unis.