Projets par an
Résumé
The trapping of germanium by silicon atoms, successively implanted into fused silica, is evidenced after thermal annealing at 1150 ° C. Rutherford backscattering spectroscopy and Raman measurements reveal a linear increase of remaining Ge concentration with the co-implanted Si fluence, accompanied by an increase of the Ge-Ge bond density, respectively. Comparison of Ge concentration profiles with scanning electron microscopy images shows the formation of nanoclusters, resulting from the accumulation of Ge within the region containing a greater concentration of co-implanted Si, whereas nanocavities, indicative of Ge release from nanostructures, are dominant in deeper sample region of lower Si excess concentration.
langue originale | Anglais |
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journal | Applied Physics Letters |
Volume | 101 |
Numéro de publication | 14 |
Les DOIs | |
Etat de la publication | Publié - 1 oct. 2012 |
Projets
- 3 Terminé
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Développement de capteurs photovoltaïques à rendement élevé
Terwagne, G., Ross, G. G., DEMARCHE, J., YEDJI, M. & Barba, D.
1/09/09 → 31/08/13
Projet: Recherche
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SC-TEC-04: Étude de la luminescence de nanocristaux de silicium synthétisés par implantation ionique pour des applications en nanophotonique
Terwagne, G., Ross, G. G. & Genard, G.
1/10/07 → 30/09/09
Projet: Recherche
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SC-TEC-2: Optimisation de la luminescence des nanocristaux de silicium pour des applications en nanophotonique
Terwagne, G., Ross, G. G., Genard, G. & Barba, D.
11/08/05 → 31/08/07
Projet: Recherche
Équipement
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Synthèse, Irradiation et Analyse de Matériaux (SIAM) (2016 - ...)
Pierre Louette (!!Manager), Julien Colaux (!!Manager), Alexandre Felten (!!Manager), Jorge Humberto Mejia Mendoza (!!Manager) & Paul-Louis Debarsy (!!Manager)
Plateforme technologique Synthese, irradiation et analyse des materiauxEquipement/installations: Plateforme technolgique