TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs

J. Ratajczak, A. ŁAszcz, A. Czerwinski, J. Katcki, X. Tang, N. Reckinger, D.A. Yarekha, G. Larrieu, E. Dubois

    Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

    Résumé

    The transmission electron microscopy characterization of various silicon and silicide fin structures intended for application in FinFET devices has been performed. The results showed that transmission electron microscopy is a very useful tool for optimization of manufacturing processes of fin nanostructures in FinFETs.
    langue originaleAnglais
    journalActa physica Polonica A
    Volume116
    Numéro de publicationSUPPL.
    Etat de la publicationPublié - 1 janv. 2009

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    Ratajczak, J., ŁAszcz, A., Czerwinski, A., Katcki, J., Tang, X., Reckinger, N., Yarekha, D. A., Larrieu, G., & Dubois, E. (2009). TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs. Acta physica Polonica A, 116(SUPPL.).