Sub-10-nm nanogap fabrication by silicidation

Xiaohui Tang, Laurent A. Francis, Constantin Augustin Dutu, Nicolas Reckinger, Jean Pierre Raskin

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Résumé

We developed a simple and reliable method for the fabrication of sub-10-nm wide nanogaps. The self-formed nanogap is based on the stoichiometric solid-state reaction between metal and Si atoms during silicidation. The nanogap width is determined by the metal layer thickness. Our proposed method provides nanogaps with either symmetric or asymmetric electrodes, as well as multiple nanogaps within one unique process step. Therefore, this method allows for high throughput and large-scale production.

langue originaleAnglais
titreProceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology
Pages570-573
Nombre de pages4
Les DOIs
Etat de la publicationPublié - 1 déc. 2013
Evénement2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology, IEEE-NANO 2013 - Beijing, Chine
Durée: 5 août 20138 août 2013

Une conférence

Une conférence2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology, IEEE-NANO 2013
PaysChine
La villeBeijing
période5/08/138/08/13

    Empreinte digitale

Contient cette citation

Tang, X., Francis, L. A., Dutu, C. A., Reckinger, N., & Raskin, J. P. (2013). Sub-10-nm nanogap fabrication by silicidation. Dans Proceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology (p. 570-573). [6720811] https://doi.org/10.1109/NANO.2013.6720811