Sub-10-nm nanogap fabrication by silicidation

Xiaohui Tang, Laurent A. Francis, Constantin Augustin Dutu, Nicolas Reckinger, Jean Pierre Raskin

    Résultats de recherche: Contribution dans un livre/un catalogue/un rapport/dans les actes d'une conférenceArticle dans les actes d'une conférence/un colloque

    Résumé

    We developed a simple and reliable method for the fabrication of sub-10-nm wide nanogaps. The self-formed nanogap is based on the stoichiometric solid-state reaction between metal and Si atoms during silicidation. The nanogap width is determined by the metal layer thickness. Our proposed method provides nanogaps with either symmetric or asymmetric electrodes, as well as multiple nanogaps within one unique process step. Therefore, this method allows for high throughput and large-scale production.

    langue originaleAnglais
    titreProceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology
    Pages570-573
    Nombre de pages4
    Les DOIs
    Etat de la publicationPublié - 1 déc. 2013
    Evénement2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology, IEEE-NANO 2013 - Beijing, Chine
    Durée: 5 août 20138 août 2013

    Une conférence

    Une conférence2013 13th IEEE International Conference on Nanotechnology, IEEE-NANO 2013
    Pays/TerritoireChine
    La villeBeijing
    période5/08/138/08/13

    Empreinte digitale

    Examiner les sujets de recherche de « Sub-10-nm nanogap fabrication by silicidation ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

    Contient cette citation