RBS and XPS depth-profiling of Ge-nc synthesized from Ge+ implantation in thin SiO2/Si layers.

Julien Demarche, Pierre Louette, D. Barba, Guy G. Ross, Guy Terwagne

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié) › Poster › Revue par des pairs

langue originale	Anglais
Etat de la publication	En préparation - 2013
Evénement	IBA 2013 - Ion Beam Analysis - Seattle - US - Seattle, États-Unis Durée: 23 juil. 2012 → 28 juil. 2013

Une conférence	IBA 2013 - Ion Beam Analysis - Seattle - US
Pays/Territoire	États-Unis
La ville	Seattle
période	23/07/12 → 28/07/13

Contient cette citation

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title = "RBS and XPS depth-profiling of Ge-nc synthesized from Ge+ implantation in thin SiO2/Si layers.",

author = "Julien Demarche and Pierre Louette and D. Barba and Ross, {Guy G.} and Guy Terwagne",

year = "2013",

language = "English",

note = "IBA 2013 - Ion Beam Analysis - Seattle - US ; Conference date: 23-07-2012 Through 28-07-2013",

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