Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device

C. Krzeminski, Emmanuel Dubois, Xiaohui Tang, Nicolas Reckinger, A. Crahay, Vincent Bayot

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

langue originaleAnglais
étatPublié - 2004
EvénementMRS Fall meeting - Boston, États-Unis
Durée: 28 nov. 20042 déc. 2004

Comité scientifique

Comité scientifiqueMRS Fall meeting
PaysÉtats-Unis
La villeBoston
période28/11/042/12/04

Citer ceci

Krzeminski, C., Dubois, E., Tang, X., Reckinger, N., Crahay, A., & Bayot, V. (2004). Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device. Résumé de MRS Fall meeting, Boston, États-Unis.
Krzeminski, C. ; Dubois, Emmanuel ; Tang, Xiaohui ; Reckinger, Nicolas ; Crahay, A. ; Bayot, Vincent. / Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device. Résumé de MRS Fall meeting, Boston, États-Unis.
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Krzeminski, C, Dubois, E, Tang, X, Reckinger, N, Crahay, A & Bayot, V 2004, 'Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device', MRS Fall meeting, Boston, États-Unis, 28/11/04 - 2/12/04.

Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device. / Krzeminski, C.; Dubois, Emmanuel; Tang, Xiaohui; Reckinger, Nicolas; Crahay, A.; Bayot, Vincent.

2004. Résumé de MRS Fall meeting, Boston, États-Unis.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

TY - CONF

T1 - Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device

AU - Krzeminski, C.

AU - Dubois, Emmanuel

AU - Tang, Xiaohui

AU - Reckinger, Nicolas

AU - Crahay, A.

AU - Bayot, Vincent

PY - 2004

Y1 - 2004

M3 - Abstract

ER -

Krzeminski C, Dubois E, Tang X, Reckinger N, Crahay A, Bayot V. Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device. 2004. Résumé de MRS Fall meeting, Boston, États-Unis.