Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: The SASEM device

C. Krzeminski, E. Dubois, X. Tang, N. Reckinger, A. Crahay, V. Bayot

    Résultats de recherche: Contribution dans un livre/un catalogue/un rapport/dans les actes d'une conférenceArticle dans les actes d'une conférence/un colloque

    Résumé

    Process simulation arc performed in order to simulate the full fabrication process of an alternative nano-flash memory in order to optimise it and to improve the understanding of the dot storage formation. The influence of various parameters (oxidation temperature, nanowire shape) have been investigated. © 2005 Materials Research Society.
    langue originaleAnglais
    titreMaterials Research Society Symposium Proceeding
    Pages45-50
    Nombre de pages6
    Volume830
    Etat de la publicationPublié - 1 janv. 2005

    Empreinte digitale Examiner les sujets de recherche de « Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: The SASEM device ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

  • Contient cette citation

    Krzeminski, C., Dubois, E., Tang, X., Reckinger, N., Crahay, A., & Bayot, V. (2005). Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: The SASEM device. Dans Materials Research Society Symposium Proceeding (Vol 830, p. 45-50)