Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology

Emmanuel Dubois; G. Larrieu; C. Krzeminski; X. Baie; Xiaohui Tang; Nicolas Reckinger; Vincent Bayot; E Robilliart; B. Froment; J. Ka̧tcki

Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology

Emmanuel Dubois, G. Larrieu, C. Krzeminski, X. Baie, Xiaohui Tang, Nicolas Reckinger, Vincent Bayot, E Robilliart, B. Froment, J. Ka̧tcki

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié) › Résumé

langue originale	Anglais
Etat de la publication	Publié - 2004
Evénement	Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology - Athènes, Grèce Durée: 4 févr. 2004 → 6 févr. 2004

Comité scientifique

Comité scientifique	Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology
Pays/Territoire	Grèce
La ville	Athènes
période	4/02/04 → 6/02/04

Contient cette citation

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title = "Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology",

author = "Emmanuel Dubois and G. Larrieu and C. Krzeminski and X. Baie and Xiaohui Tang and Nicolas Reckinger and Vincent Bayot and E Robilliart and B. Froment and J. K{\c a}tcki",

year = "2004",

language = "English",

note = "Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology ; Conference date: 04-02-2004 Through 06-02-2004",

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TY - CONF

T1 - Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology

AU - Dubois, Emmanuel

AU - Larrieu, G.

AU - Krzeminski, C.

AU - Baie, X.

AU - Tang, Xiaohui

AU - Reckinger, Nicolas

AU - Bayot, Vincent

AU - Robilliart, E

AU - Froment, B.

AU - Ka̧tcki, J.

PY - 2004

Y1 - 2004

M3 - Abstract

T2 - Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology

Y2 - 4 February 2004 through 6 February 2004

ER -