Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance

G. Larrieu, E. Dubois, D. Yarekha, N. Breil, N. Reckinger, X. Tang, J. Ratajczak, A. Laszcz

    Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revue › Résumé d'une communication scientifique › Revue par des pairs

    Empreinte digitale

    Examiner les sujets de recherche de « Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

    Keyphrases

    Engineering

    Material Science

    INIS