Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SBMOSFETs performance

G. Larrieu, Emmanuel Dubois, D.A. Yarekha, N. Breil, Nicolas Reckinger, Xiaohui Tang, J. Ratajczak, A. Laszcz

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

langue originaleAnglais
Etat de la publicationPublié - 2008
EvénementEuropean Materials Research Society - Spring Meeting - Strasbourg, France
Durée: 26 mai 200830 mai 2008

Comité scientifique

Comité scientifiqueEuropean Materials Research Society - Spring Meeting
PaysFrance
La villeStrasbourg
période26/05/0830/05/08

Contient cette citation

Larrieu, G., Dubois, E., Yarekha, D. A., Breil, N., Reckinger, N., Tang, X., Ratajczak, J., & Laszcz, A. (2008). Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SBMOSFETs performance. Résumé de European Materials Research Society - Spring Meeting, Strasbourg, France.