Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11

Andrey Rybakov; Alexander Larin; Daniel P. Vercauteren; Georgii M. Zhidomirov

Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11

Andrey Rybakov, Alexander Larin, Daniel P. Vercauteren, Georgii M. Zhidomirov

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langue originale	Anglais
titre	Practical Aspects of Computational Chemistry IV
rédacteurs en chef	J. Leszczynski , M.K. Shukla
Lieu de publication	New York
Editeur	Springer
Pages	303-351
Nombre de pages	48
ISBN (Electronique)	978-1-4899-7699-4
ISBN (imprimé)	978-1-4899-7697-0
Etat de la publication	Publié - 2016

PAI n°P7/05 - FS2: Systèmes supramoléculaires fonctionnels (PAI P7/05)
CHAMPAGNE, B., De Vos, D., Van der Auweraer, M., Jérôme, C., Lazzaroni, R., Marin, G., Jonas, A., Du Prez, F., Vanderzande, D., Van Tendeloo, G., Van Speybroeck, V., NENON, S. & STAELENS, N.
1/04/12 → 30/09/17
Projet: Recherche
consortium des équipements de calcul intensif
CHAMPAGNE, B.
1/01/11 → 31/12/22
Projet: Recherche

Plateforme Technologique Calcul Intensif
Benoît Champagne (!!Manager)
Plateforme technologique Calcul intensif
Equipement/installations: Plateforme technolgique

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Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11. / Rybakov, Andrey; Larin, Alexander; Vercauteren, Daniel P. et al.
Practical Aspects of Computational Chemistry IV. Ed. / J. Leszczynski ; M.K. Shukla. New York: Springer, 2016. p. 303-351.

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TY - CHAP

T1 - Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3

T2 - Chapitre 11

AU - Rybakov, Andrey

AU - Larin, Alexander

AU - Vercauteren, Daniel P.

AU - Zhidomirov, Georgii M.

PY - 2016

Y1 - 2016

M3 - Chapter (peer-reviewed)

SN - 978-1-4899-7697-0

SP - 303

EP - 351

BT - Practical Aspects of Computational Chemistry IV

A2 - Leszczynski , J.

A2 - Shukla, M.K.

PB - Springer

CY - New York

ER -

Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11

Projets

PAI n°P7/05 - FS2: Systèmes supramoléculaires fonctionnels (PAI P7/05)

consortium des équipements de calcul intensif

Équipement

Plateforme Technologique Calcul Intensif

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