Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11

Résultats de recherche: Contribution dans un livre/un catalogue/un rapport/dans les actes d'une conférenceChapitre (revu par des pairs)

langue originaleAnglais
titrePractical Aspects of Computational Chemistry IV
rédacteurs en chefJ. Leszczynski , M.K. Shukla
Lieu de publicationNew York
EditeurSpringer
Pages303-351
Nombre de pages48
ISBN (Electronique)978-1-4899-7699-4
ISBN (imprimé)978-1-4899-7697-0
étatPublié - 2016

Citer ceci

Rybakov, A., Larin, A., Vercauteren, D. P., & Zhidomirov, G. M. (2016). Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11. Dans J. Leszczynski , & M. K. Shukla (eds.), Practical Aspects of Computational Chemistry IV (p. 303-351). New York: Springer.
Rybakov, Andrey ; Larin, Alexander ; Vercauteren, Daniel P. ; Zhidomirov, Georgii M. / Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3 : Chapitre 11. Practical Aspects of Computational Chemistry IV. Editeur / J. Leszczynski ; M.K. Shukla. New York : Springer, 2016. p. 303-351
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Rybakov, A, Larin, A, Vercauteren, DP & Zhidomirov, GM 2016, Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11. Dans J Leszczynski & MK Shukla (eds), Practical Aspects of Computational Chemistry IV. Springer, New York, p. 303-351.

Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3 : Chapitre 11. / Rybakov, Andrey; Larin, Alexander; Vercauteren, Daniel P.; Zhidomirov, Georgii M.

Practical Aspects of Computational Chemistry IV. Ed. / J. Leszczynski ; M.K. Shukla. New York : Springer, 2016. p. 303-351.

Résultats de recherche: Contribution dans un livre/un catalogue/un rapport/dans les actes d'une conférenceChapitre (revu par des pairs)

TY - CHAP

T1 - Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3

T2 - Chapitre 11

AU - Rybakov, Andrey

AU - Larin, Alexander

AU - Vercauteren, Daniel P.

AU - Zhidomirov, Georgii M.

PY - 2016

Y1 - 2016

M3 - Chapter (peer-reviewed)

SN - 978-1-4899-7697-0

SP - 303

EP - 351

BT - Practical Aspects of Computational Chemistry IV

A2 - Leszczynski , J.

A2 - Shukla, M.K.

PB - Springer

CY - New York

ER -

Rybakov A, Larin A, Vercauteren DP, Zhidomirov GM. Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11. Dans Leszczynski J, Shukla MK, rédacteurs en chef, Practical Aspects of Computational Chemistry IV. New York: Springer. 2016. p. 303-351