Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11

Andrey Rybakov, Alexander Larin, Daniel P. Vercauteren, Georgii M. Zhidomirov

Résultats de recherche: Contribution dans un livre/un catalogue/un rapport/dans les actes d'une conférenceChapitre (revu par des pairs)

langue originaleAnglais
titrePractical Aspects of Computational Chemistry IV
rédacteurs en chefJ. Leszczynski , M.K. Shukla
Lieu de publicationNew York
EditeurSpringer
Pages303-351
Nombre de pages48
ISBN (Electronique)978-1-4899-7699-4
ISBN (imprimé)978-1-4899-7697-0
Etat de la publicationPublié - 2016

Projets

PAI n°P7/05 - FS2: Systèmes supramoléculaires fonctionnels (PAI P7/05)

CHAMPAGNE, B., De Vos, D., Van der Auweraer, M., Jérôme, C., Lazzaroni, R., Marin, G., Jonas, A., Du Prez, F., Vanderzande, D., Van Tendeloo, G., Van Speybroeck, V., NENON, S. & STAELENS, N.

1/04/1230/09/17

Projet: Recherche

Équipement

  • Contient cette citation

    Rybakov, A., Larin, A., Vercauteren, D. P., & Zhidomirov, G. M. (2016). Detailed Atomistic Modeling of Si(110) Passivation by Atomic Layer Deposition of γAl2O3: Chapitre 11. Dans J. Leszczynski , & M. K. Shukla (eds.), Practical Aspects of Computational Chemistry IV (p. 303-351). Springer.