Charge trapping phenomena in single electron NVM SOI devices fabricated by a self-aligned quantum DOT technology

A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, X. Tang, N. Reckinger, V. Bayot

    Résultats de recherche: Contribution dans un livre/un catalogue/un rapport/dans les actes d'une conférence › Chapitre

    Empreinte digitale

    Examiner les sujets de recherche de « Charge trapping phenomena in single electron NVM SOI devices fabricated by a self-aligned quantum DOT technology ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

    Engineering

    Chemical Engineering

    Physics