Charge trapping phenomena in single electron NVM SOI devices fabricated by a self-aligned quantum dot technology

A. Nazarov, V. Lysenko, X. Tang, N. Reckinger, V. Bayot

    Résultats de recherche: Contribution dans un livre/un catalogue/un rapport/dans les actes d'une conférence › Chapitre

    Empreinte digitale

    Examiner les sujets de recherche de « Charge trapping phenomena in single electron NVM SOI devices fabricated by a self-aligned quantum dot technology ». Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.

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