Characterization of ytterbium silicide formed in ultra high vacuum

A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Czerwinski, J. Katcki, V. Srot, F. Phillipp, P.A. Van Aken, D.A. Yarekha, Nicolas Reckinger, G. Larrieu, E. Dubois

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

langue originaleAnglais
Etat de la publicationPublié - 2009
Evénement16th Conference on Microscopy of Semiconducting Material - Oxford, Royaume-Uni
Durée: 17 mars 200920 mars 2009

Une conférence

Une conférence16th Conference on Microscopy of Semiconducting Material
PaysRoyaume-Uni
La villeOxford
période17/03/0920/03/09

Contient cette citation

Laszcz, A., Ratajczak, J., Czerwinski, A., Katcki, J., Srot, V., Phillipp, F., Van Aken, P. A., Yarekha, D. A., Reckinger, N., Larrieu, G., & Dubois, E. (2009). Characterization of ytterbium silicide formed in ultra high vacuum. Résumé de 16th Conference on Microscopy of Semiconducting Material, Oxford, Royaume-Uni.