langue originale | Anglais |
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Pages (de - à) | 1081 |
journal | Journal of Electronic Materials |
Volume | 28 |
Numéro de publication | 7 |
Etat de la publication | Publié - 1999 |
Atomic scale analysis of defect structures and properties in III-nitride materials by Z-contrast imaging and EELS in STEM
Y. Xin, N.D. Browning, S.J. Pennycook, Sivalingam Sivananthan, Robert Sporken, F Omnés, B. Beaumont, J.P. Faurie, P. Gibart
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