Etude fondamentale et modélisation de la croissance hétéroépitaxiale et des propriétés physiques de couches minces de matériaux différents. Application à la croissance de semiconducteurs, métaux, isolants et supraconducteurs sur silicium

Projet: Recherche

Description

{description_courte}
statutFini
Les dates de début/date réelle1/10/9229/02/00

mots-clés

  • Structure electronique
  • interface
  • épitaxie
  • epitaxie
  • Structure électronique
  • semiconducteurs
  • structure atomique