Etude fondamentale et modélisation de la croissance hétéroépitaxiale et des propriétés physiques de couches minces de matériaux différents. Application à la croissance de semiconducteurs, métaux, isolants et supraconducteurs sur silicium

Projet: Recherche

Détails du projet

Description

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statutFini
Les dates de début/date réelle1/10/9229/02/00

mots-clés

  • Structure electronique
  • interface
  • épitaxie
  • epitaxie
  • Structure électronique
  • semiconducteurs
  • structure atomique

Empreinte digitale

Explorez les thèmes de recherche abordés par ce projet. Ces libellés sont générés sur la base des prix/subventions sous-jacents. Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.