Fabrication de capteurs photovoltaïques à base de silicium et de germanium nanostructurés

Projet: Recherche

Description

Les cellules photovoltaïques (PV) à base de nanocristaux de Si et de Ge permettent d’accroître l’absorption du rayonnement solaire et de convertir l’énergie des électrons chauds en photocourant grâce à la génération d’excitons multiples. Ces deux caractéristiques suggèrent une efficacité de production électrique qui dépasse les 31% fixés par la limite de Schokley-Queisser. Au cours de ces dernières années, nous avons mis au point un procédé basé sur l’implantation ionique, qui permet de synthétiser des nanocristaux de Si et de Ge en contrôlant simultanément leur taille et leur répartition spatiale à l'intérieur d'une matrice de silice. Ces travaux nous ont donné les moyens de définir une stratégie innovante pour la conception d'un capteur PV de 3e génération à haut rendement. En combinant l’expertise du LARN en implantation et en analyse nucléaire, à celle de l'INRS-ÉMT, en synthèse et en caractérisation de nanomatériaux, nous visons la conception d'un nouveau type de cellule solaire basé sur l'empilement de nanostructures homogènes au sein d'une monocouche d'oxide, laquelle doit aboutir à la réalisation d'un premier prototype expérimental en fin de projet.
statutFini
Les dates de début/date réelle1/09/1531/08/17