Détails du projet
Description
L’objectif de ce projet de recherche est de fabriquer des cellules
photovoltaïques à haut rendement par implantation ionique dans une
couche de SiO2 déposée sur du Si monocristallin. L'oxyde est dopé au
moyen de nanocristaux de Si, Ge ou SiGe, localisés à l’interface entre le
SiO2 et le Si. La MEG devrait permettre d’atteindre des rendements
supérieurs à 25%.
photovoltaïques à haut rendement par implantation ionique dans une
couche de SiO2 déposée sur du Si monocristallin. L'oxyde est dopé au
moyen de nanocristaux de Si, Ge ou SiGe, localisés à l’interface entre le
SiO2 et le Si. La MEG devrait permettre d’atteindre des rendements
supérieurs à 25%.
| statut | En cours d'exécution |
|---|---|
| Les dates de début/date réelle | 1/01/15 → … |
Empreinte digitale
Explorez les thèmes de recherche abordés par ce projet. Ces libellés sont générés sur la base des prix/subventions sous-jacents. Ensemble, ils forment une empreinte digitale unique.
Résultat de recherche
- 1 Article
-
Influence of oxygen co-implantation on germanium out-diffusion and nanoclustering in SiO2/Si films
Nelis, A., Haye, E. & Terwagne, G. (Promoteur), 9 févr. 2022, Dans: Thin Solid Films. 746, 139135, 139135.Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revue › Article › Revue par des pairs
Accès ouvertFile185 Téléchargements (Pure)
Équipement
-
Synthèse, Irradiation et Analyse de Matériaux (SIAM) (2016 - ...)
Louette, P. (!!Manager), Colaux, J. (!!Manager), Felten, A. (!!Manager), Tabarrant, T. (!!Operator), COME, F. (!!Operator) & Debarsy, P.-L. (!!Manager)
Plateforme technologique Synthese, irradiation et analyse des materiauxEquipement/installations: Plateforme technolgique