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Roumen Vitchev

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20022009
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Résultat de recherche 2003 2009

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2009

Cesium redeposition artifacts during low energy ToF-SIMS depth profiling

Vitchev, R. G., Brison, J. & Houssiau, L., 15 juin 2009, Dans : Applied Surface Science. 255, 17, p. 7586-7589 4 p.

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Cesium
Depth profiling
Secondary ion mass spectrometry
Sputtering
Ions
Depth profiling
Xenon
Cesium
Secondary ion mass spectrometry
cesium
2008
Depth profiling
Xenon
Cesium
Secondary ion mass spectrometry
cesium

Depth distribution of Cs implanted into Si at steady-state during dual beam ToF-SIMS profiling

Vitchev, R. G., Brison, J. & Houssiau, L., 15 déc. 2008, Dans : Applied Surface Science. 255, 4, p. 1331-1333 3 p.

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Secondary ion mass spectrometry
Surface segregation
Sputtering
Atoms
2007

Measurement and modeling of work function changes during low energy cesium sputtering

Brison, J., Mine, N., Poisseroux, S., Douhard, B., Vitchev, R. G. & Houssiau, L., 15 mars 2007, Dans : Surface Science. 601, 6, p. 1467-1472 6 p.

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Cesium
cesium
Sputtering
sputtering
Silicon
2005

Effective attenuation length of AlKa excited Si2p photoelectron in SiO2, Al2O3 and HfO2 thin films

Vitchev, R., Defranoux, C., Wolstenholme, J., Conard, T., Bender, H. & Pireaux, J-J., 2005, Dans : Journal of Electronic Spectroscopy and Related Phenomena. 149, 12, p. 37-44 8 p.

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2004

Physical characterization of mixed HfAlOx layers by complementary analysis techniques

Bender, H., Conard, T., Richard, O., Brijs, B., Pétry, J., Vandervorst, W., Defranoux, C., Boher, P., Rochat, N., Wyon, C., Mack, P., Wolstenholme, J., Vitchev, R., Houssiau, L., Pireaux, J-J., Bergmaier, A. & Dollinger, G., 15 juin 2004, Dans : Materials science and engineering. B. 109, 1-3, p. 60-63 4 p.

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Chemical analysis
interlayers
methodology

ToF-SIMS depth profiling of Hf and Al composition variations in ultrathin mixed HfO2/Al2O3oxides

Houssiau, L., Vitchev, R. G., Conard, T., Vandervorst, W. & Bender, H., 15 juin 2004, Dans : Applied Surface Science. 231-232, p. 585-589 5 p.

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Depth profiling
Secondary ion mass spectrometry
Metals
Chemical analysis
Ions

X-ray photoelectron spectroscopy characterization of high-k dielectric Al2O3 and HfO2 layers deposited on SiO2/Si surface

Vitchev, R., Pireaux, J-J., Conard, T., Bender, H., Wolstenholme, J. & Defranoux, C., 2004, Dans : Applied Surface Science. 235, p. 21-25 5 p.

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2003

Multitechnique characterisation of Al2O3 thin layers deposited on SiO2/Si surface by atomic layer chemical vapour deposition

Houssiau, L., Vitchev, R., Pireaux, J-J., Conard, T., Bender, H., Richard, O., Mack, P., Wolstenholme, J. & Defranoux, C., 2003, Dans : Proceedings of the AVS Fourth International Conference on Microelectronics and Interfaces. p. 36-38 3 p.

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Physical characterization of thin HfO2 layers by the combined analysis with complementary techniques

Bender, H., Conard, T., Richard, O., Brijs, B., Pétry, J., Vandervorst, W., Defranoux, C., Boher, P., Rochat, N., Wyon, C., Mack, P., Wolstenholme, J., Vitchev, R., Houssiau, L., Pireaux, J-J., Bergmaier, A. & Dollinger, G., 1 janv. 2003, Dans : Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 5133, p. 223-232 10 p.

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Organic Chemicals
Organic chemicals
Thin Layer
Chemical vapor deposition
Metals