Résultat de recherche 1969 2020

Filtre
Résumé d'une communication scientifique
2010

Characterization of ytterbium silicide formed in ultra high vacuum

Łaszcz, A., Ratajczak, J., Czerwinski, A., Kâtcki, J., Srot, V., Phillipp, F., Van Aken, P. A., Yarekha, D., Reckinger, N., Larrieu, G. & Dubois, E., 1 janv. 2010, Dans : Journal of Physics : Conference Series. 209

Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

ytterbium
ultrahigh vacuum
annealing
electron energy
transmission electron microscopy

Transmission electron microscopy study of erbium silicide formation from Ti/Er stack for Schottky contact applications

Ratajczak, J., Laszcz, A., Czerwinski, A., Ka̧tcki, J., Phillipp, F., Van Aken, P. A., Reckinger, N. & Dubois, E., 1 mars 2010, Dans : Journal of Microscopy. 237, 3, p. 379-383 5 p.

Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

Erbium
Transmission Electron Microscopy
Hot Temperature
Temperature
Titanium
2009

TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs

Ratajczak, J., ŁAszcz, A., Czerwinski, A., Katcki, J., Tang, X., Reckinger, N., Yarekha, D. A., Larrieu, G. & Dubois, E., 1 janv. 2009, Dans : Acta physica Polonica A. 116, SUPPL.

Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

fins
transmission electron microscopy
fabrication
manufacturing
optimization
2008

A Monte Carlo investigation of carrier transport in fabricated back-to-back Schottky diodes: Influence of direct quantum tunnelling and temperature

Pascual, E., Rengel, R., Reckinger, N., Tang, X., Bayot, V., Dubois, E. & Martín, M. J., 1 janv. 2008, Dans : Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 5, 1, p. 119-122 4 p.

Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

Schottky diodes
ballistics
space charge
velocity distribution
distribution functions

Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance

Larrieu, G., Dubois, E., Yarekha, D., Breil, N., Reckinger, N., Tang, X., Ratajczak, J. & Laszcz, A., 5 déc. 2008, Dans : Materials science and engineering. B. 154-155, 1-3, p. 159-162 4 p.

Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

field effect transistors
Doping (additives)
Carrier mobility
immunity
Silicon
2005

Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: The SASEM device

Krzeminski, C., Dubois, E., Tang, X., Reckinger, N., Crahay, A. & Bayot, V., 1 janv. 2005, Dans : Materials Research Society Symposium Proceedings. 830, p. 45-50 6 p.

Résultats de recherche: Contribution à un journal/une revueRésumé d'une communication scientifique

Flash memory
Nanowires
flash
nanowires
arcs