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Résumé d'une communication scientifique
2010

Characterization of ytterbium silicide formed in ultra high vacuum

Łaszcz, A., Ratajczak, J., Czerwinski, A., Kâtcki, J., Srot, V., Phillipp, F., Van Aken, P. A., Yarekha, D., Reckinger, N., Larrieu, G. & Dubois, E., 1 janv. 2010, Dans : Journal of Physics : Conference Series. 209

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Transmission electron microscopy study of erbium silicide formation from Ti/Er stack for Schottky contact applications

Ratajczak, J., Laszcz, A., Czerwinski, A., Ka̧tcki, J., Phillipp, F., Van Aken, P. A., Reckinger, N. & Dubois, E., 1 mars 2010, Dans : Journal of Microscopy. 237, 3, p. 379-383 5 p.

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2009

TEM characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs

Ratajczak, J., ŁAszcz, A., Czerwinski, A., Katcki, J., Tang, X., Reckinger, N., Yarekha, D. A., Larrieu, G. & Dubois, E., 1 janv. 2009, Dans : Acta physica Polonica A. 116, SUPPL.

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2008

A Monte Carlo investigation of carrier transport in fabricated back-to-back Schottky diodes: Influence of direct quantum tunnelling and temperature

Pascual, E., Rengel, R., Reckinger, N., Tang, X., Bayot, V., Dubois, E. & Martín, M. J., 1 janv. 2008, Dans : Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 5, 1, p. 119-122 4 p.

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Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance

Larrieu, G., Dubois, E., Yarekha, D., Breil, N., Reckinger, N., Tang, X., Ratajczak, J. & Laszcz, A., 5 déc. 2008, Dans : Materials science and engineering. B. 154-155, 1-3, p. 159-162 4 p.

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2005

Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: The SASEM device

Krzeminski, C., Dubois, E., Tang, X., Reckinger, N., Crahay, A. & Bayot, V., 1 janv. 2005, Dans : Materials Research Society Symposium Proceedings. 830, p. 45-50 6 p.

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