Résultat de recherche 1969 2019

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Résumé
2014

Nitrogen implantation in carbon nanostructures: annealing effects and selectivity of sp2 nitrogen species

Scardamaglia, M., Reckinger, N., Colomer, J-F., Snyders, R., Amati, M., Gregoratti, L. & Bittencourt, C., 2014.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

2009

Characterization of ytterbium silicide formed in ultra high vacuum

Laszcz, A., Ratajczak, J., Czerwinski, A., Katcki, J., Srot, V., Phillipp, F., Van Aken, P. A., Yarekha, D. A., Reckinger, N., Larrieu, G. & Dubois, E., 2009.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

Issues associated to rare earth silicide integration in ultra thin FD SOI Schottky barrier nMOSFETs

Larrieu, G., Yarekha, D. A., Dubois, E., Breil, N., Reckinger, N., Tang, X. & Halimaoui, A., 2009.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

Metallic source/drain for advanced MOS architectures: from material engineering to device integration

Dubois, E., Larrieu, G., Breil, N., Valentin, R., Danneville, F., Yarekha, D. A., Krzeminski, C., Lampin, E., Droulez, J-M., Reckinger, N., Tang, X., Halimaoui, A., Rengel, R., Pascual, E., Pouydebasque, A., Wallart, X., GODEY, SYLVIE., Ratajczak, J., Laszcz, A., Katcki, J. & 4 autresRaskin, J-P., Dambrine, G., Cros, A. & Skotnicki, T., 2009.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

TEM Characterization of polysilicon and silicide fin fabrication processes of FinFETs

Ratajczak, J., Laszcz, A., Czerwinski, A., Katcki, J., Tang, X., Reckinger, N., Yarekha, D. A., Larrieu, G. & Dubois, E., 2009.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low Schottky barrier S/D contact material for n-type MOSFET

Yarekha, D. A., Larrieu, G., Breil, N., Dubois, E., GODEY, SYLVIE., Wallart, X., Soyer, C., Remiens, D., Reckinger, N., Tang, X., Laszcz, A., Ratajczak, J. & Halimaoui, A., 2009.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

2008

Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SBMOSFETs performance

Larrieu, G., Dubois, E., Yarekha, D. A., Breil, N., Reckinger, N., Tang, X., Ratajczak, J. & Laszcz, A., 2008.

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2007

A Monte Carlo investigation of carrier transport in fabricated back-to-back Schottky diodes: influence of direct quantum tunnelling and temperature

Pascual, E., Rengel, R., Reckinger, N., Tang, X., Bayot, V., Dubois, E. & Martin, M. J., 2007.

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Metallic source/drain architecture: status and prospects

Dubois, E., Larrieu, G., Breil, N., Valentin, R., Danneville, F., Ostling, M., Hellstrom, P. E., Reckinger, N., Tang, X., Raskin, J-P., Zhao, Q. T. & Mantl, S., 2007.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

2005

Recent advances in metallic source-drain engineering

Knoch, J., Dubois, E., Larrieu, G., Breil, N., Tang, X., Reckinger, N. & Bayot, V., 2005.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

Self-aligned single-electron memories

Tang, X., Reckinger, N., Bayot, V., Dubois, E., Krzeminski, C., Villaret, A. & Bensahel, D-C., 2005.

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Self-aligned single-electron memories: towards single-electron operation of MOS compatible nano-flash memory devices

Tang, X., Reckinger, N., Bayot, V., Dubois, E. & Krzeminski, C., 2005.

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2004

Integration of low Schottky barrier source/drain for advanced MOS technology

Dubois, E., Larrieu, G., Krzeminski, C., Baie, X., Tang, X., Reckinger, N., Bayot, V., Robilliart, E., Froment, B. & Ka̧tcki, J., 2004.

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Optimisation and simulation of an alternative nano-flash memory: the SASEM device

Krzeminski, C., Dubois, E., Tang, X., Reckinger, N., Crahay, A. & Bayot, V., 2004.

Résultats de recherche: Contribution à un événement scientifique (non publié)Résumé

SOI nano device fabrication

Tang, X., Reckinger, N. & Bayot, V., 2004.

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2002

Martian geoid and internal structure

Defraigne, P., Dehant, V., Van Hoolst, T. & Reckinger, N., 2002.

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