Molecular beam epitaxy of CdTe(-1-1-1)B on silicon passivated by arsenic : characterization by XPS and DekTak measurements.

  • Thomas Seldrum (Orateur)

Activité: Participation ou organisation d'un événementParticipation à une conférence, un congrès

Période15 juil. 200515 août 2005
Type d'événementSéjour à l'étranger
LieuChicago, University of Illinois at Chicago, Microphysics LaboratoryAfficher sur la carte