8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop

    Activité: Participation ou organisation d'un événement › Participation à une conférence, un congrès

    Description

    Modeling of transport and emission properties of GaN n-i-p junctions
    Période29 sept. 2003 → 1 oct. 2003
    Type d'événementUne conférence
    LieuRichmond, Virginia, États-UnisAfficher sur la carte

    mots-clés

    • semiconductor