31st International Conference of the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (IPCSI-31)

Activité: Participation ou organisation d'un événementParticipation à une conférence, un congrès

Description

Oral presentation : <Interfacial chemistry at high-k oxide layers on pretreated silicon wafers : XPS and TOF-SIMS study > ; R. Vitchev, T. Conard, H. Bender, L. Houssiau, J.J. Pireaux
Période18 janv. 200422 janv. 2004
Type d'événementUne conférence
LieuKona, HI-USAAfficher sur la carte