Description
L’objectif de ce projet de recherche est de fabriquer des cellules
photovoltaïques à haut rendement par implantation ionique dans une
couche de SiO2 déposée sur du Si monocristallin. L'oxyde est dopé au
moyen de nanocristaux de Si, Ge ou SiGe, localisés à l’interface entre le
SiO2 et le Si. La MEG devrait permettre d’atteindre des rendements
supérieurs à 25%.
photovoltaïques à haut rendement par implantation ionique dans une
couche de SiO2 déposée sur du Si monocristallin. L'oxyde est dopé au
moyen de nanocristaux de Si, Ge ou SiGe, localisés à l’interface entre le
SiO2 et le Si. La MEG devrait permettre d’atteindre des rendements
supérieurs à 25%.
| Status | Active |
|---|---|
| Effective start/end date | 1/01/15 → … |